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Typical Characteristics
10
2400
8
I D = 5.5A
V DS = 5V
10V
2000
f = 1MHz
V GS = 0 V
15
6
V
1600
C ISS
1200
4
800
2
400
C OSS
C RSS
0
0
0
5
10
15
20
25
30
0
5
10
15
20
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
100
5
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
10
R DS(ON) LIMIT
10ms
1ms
100 μ s
4
SINGLE PULSE
R θ JA = 156°C/W
T A = 25°C
100ms
1s
3
1
10s
V GS = 4.5V
DC
2
0.1
0.01
SINGLE PULSE
R θ JA = 156 o C/W
T A = 25 o C
1
0
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
0.2
R θ JA (t) = r(t) + R θ JA
0.1
0.1
R θ JA = 156°C/W
0.01
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
P(pk)
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDC645N Rev C(W)
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